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                        單層芯片電容材料制備
                        發布者 : admin 發布時間 : 2023/03/07 09:03:21


                        單層芯片電容的優良微波頻率、高介電常數,使其被廣泛應用于微波器件、射頻器件、LED等需要微組裝工藝的電子設備中。常規的單層芯片電容為獲取高介電常數,其瓷體晶粒必須≥30μm,這就容易導致高溫高濕環境下,水汽容易吸附在側壁晶界上,導致單層芯片電容絕緣電阻下降。

                        針對現有技術的不足,廣東愛晟電子科技有限公司介紹一款單層芯片電容,其性能優良,解決了單層芯片電容在高溫高濕環境下絕緣電阻下降的問題。這款單層芯片電容晶界層的材料配比為TiO2 60~65%、SrCO3 33~39%、La2O3 0.2~2.5%,配方中還包括添加劑,所述添加劑為Ta2O3、Nb2O3、Al2O3、SiO2、MnCO3或CuO中的一種或兩種以上組成。具體的制備方法如下:

                        一、將材料按百分比配好后加入去離子水進行混合10~20小時,然后烘干、粉碎;

                        二、將粉碎好的材料在1200℃~1300℃下煅燒2~3小時,然后粉碎過篩; 

                        三、將過篩后的材料加入添加劑,其比重占總重量的0.1~1.5%,混合10~20小時后進行流延成膜;

                        四、將膜片在空氣中,500℃~1200℃下排膠10~40小時;然后在7%~15%氫含量的氫氮混合氣中1400℃~1450℃下還原2~3小時;最后在燒結片上涂覆氧化劑,在空氣氣氛中750~℃1200℃下氧化20~180分鐘,得到燒結后的單層芯片電容用基片;

                        五、將基片進行清洗和濺射鈦鎢、鎳、金,然后電鍍金,得到金屬化基片;

                        六、將金屬化基片進行切割,得到所需要大小的小基片;

                        七、將切割好的小基片用離心機甩干,然后放入烘箱中在150℃~250℃的溫度下進行固化處理,得到單層芯片電容。





                        參考資料:

                        CN102320827B《單層電容器晶界層材料、基片的制作方法、以及單層電容器的方法》

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